Journal of Physics D Applied Physics· 2017Q1
GaN tabanlı, 63Ni betavoltaik pilin modellenmesi, tasarımı, üretimi ve deneysel olarak incelenmesi
Modeling, design, fabrication and experimentation of a GaN-based, <sup>63</sup> Ni betavoltaic battery
- 34atıf
- Q1SCImago
- 2017yıl
Kısa özet
Araştırmacılar, 63Ni kaynağı kullanan 1 cm^2'lik GaN tabanlı bir betavoltaik pil tasarladı, üretti ve test etti; bu pil, GaN cihazları için rekor düzeyde 2,23 nW çıkış gücü elde etti.
Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.
Ana noktalar
- 1 cm^2 boyutunda GaN tabanlı bir betavoltaik pil tasarlandı, üretildi ve deneysel olarak test edildi.
- Pil, 63Ni radyoizotop kaynağını kullanmaktadır.
- Cihaz, GaN tabanlı betavoltaik cihazlar için rekor düzeyde 2,23 nW çıkış gücü elde etti.
- Cihaz performansını doğru bir şekilde simüle etmek için bir model geliştirildi.
Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.
Özet (abstract)
Abstract GaN is a durable, radiation hard and wide-bandgap semiconductor material, making it ideal for usage with betavoltaic batteries. This paper describes the design, fabrication and experimental testing of 1 cm 2 GaN-based betavoltaic batteries (that achieve an output power of 2.23 nW) along with a full model that accurately simulates the device performance which is the highest to date (to the best of our knowledge) for GaN-based devices with a 63 Ni source.
Yazarların özeti; kaynağından alınmıştır. Journal of Physics D Applied Physics, 2017 · DOI ↗
Ücretsiz hesapla devam et
Makaleye Sor ile bu makaleye günde 3 soru ücretsiz; makaleyi kaydet, kaynakçasını al, ilgi alanına göre her gün yeni özetler. Çıkarımlar Premium.
Web'de ücretsiz devam etGoogle ya da Apple hesabınla giriş; kart istemez. Bu makaleye geri dönersin.
Telefonda:
Alan: Nükleer Enerji ve Mühendisliği
Nuclear Energy and EngineeringEnergy