PofoliaPofolia ile paylaşıldı

Applied Physics Letters· 2012Q1

Tek Kristal β-Ga2O3 (010) Altlıklar Üzerinde Gallium Oksit (Ga2O3) Metal-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler

Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui ve diğerleri

Kısa özet

Tek kristal Gallium Oksit (Ga2O3) Metal-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler (MESFET'ler), β-Ga2O3 (010) altlıklar üzerinde üretildiğinde 250 V'un üzerinde kapalı durum (off-state) kırılma gerilimi ve 10.000 oranında açık/kapalı durum akım oranı sergiledi.

Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.

Ana noktalar

  • β-Ga2O3 (010) altlıklar üzerinde tek kristal Ga2O3 MESFET'leri gösterildi.
  • 250 V'un üzerinde üç terminalli kapalı durum kırılma gerilimi elde edildi.
  • 3 μA'lık düşük kapalı durum drenaj kaçak akımı elde edildi.
  • Yaklaşık 10.000'lik yüksek bir açık/kapalı durum drenaj akım oranı bildirildi.

Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.

Özet (abstract)

We report a demonstration of single-crystal gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). A Sn-doped Ga2O3 layer was grown on a semi-insulating β-Ga2O3 (010) substrate by molecular-beam epitaxy. We fabricated a circular MESFET with a gate length of 4 μm and a source–drain spacing of 20 μm. The device showed an ideal transistor action represented by the drain current modulation due to the gate voltage (VGS) swing. A complete drain current pinch-off characteristic was also obtained for VGS < −20 V, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 250 V. A low drain leakage current of 3 μA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of about 10 000. These device characteristics obtained at the early stage indicate the great potential of Ga2O3-based electrical devices for future power device applications.

Yazarların özeti; kaynağından alınmıştır. Applied Physics Letters, 2012 · DOI ↗

ÇıkarımlarPremium
Makaleye SorÜcretsiz hesapla

Ücretsiz hesapla devam et

Makaleye Sor ile bu makaleye günde 3 soru ücretsiz; makaleyi kaydet, kaynakçasını al, ilgi alanına göre her gün yeni özetler. Çıkarımlar Premium.

Web'de ücretsiz devam et

Google ya da Apple hesabınla giriş; kart istemez. Bu makaleye geri dönersin.

Telefonda:

Alan: Elektronik, Optik ve Manyetik Malzemeler

Electronic, Optical and Magnetic MaterialsMaterials Science