Applied Physics Letters· 2012Q1

Tek Kristal β-Ga2O3 (010) Altlıklar Üzerinde Gallium Oksit (Ga2O3) Metal-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler

Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui ve diğerleri

1.784atıf
Q1SCImago
2012yıl

Kısa özet

Tek kristal Gallium Oksit (Ga2O3) Metal-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler (MESFET'ler), β-Ga2O3 (010) altlıklar üzerinde üretildiğinde 250 V'un üzerinde kapalı durum (off-state) kırılma gerilimi ve 10.000 oranında açık/kapalı durum akım oranı sergiledi.

Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.

ÇıkarımlarUygulamada

Ana noktalarUygulamada

Makaleye SorUygulamada

Devamı Pofolia uygulamasında

Çıkarımlar, ana noktalar ve makaleye soru sorma; ilgi alanına göre her gün yeni özetler. Ücretsiz.

Google Play'den indir App Store'dan indir

Web'de giriş yaparak aç

Alan: Elektronik, Optik ve Manyetik Malzemeler

Electronic, Optical and Magnetic MaterialsMaterials Science