IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques· 2012Q1· Derleme

GaN/SiC Yüksek Elektron Hareketliliği Güç Transistörleri ve MMIC'ler Üzerine Bir İnceleme

A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs

Raymond S. Pengelly, Simon M. Wood, J. Milligan, S.T. Sheppard ve diğerleri

980atıf
Q1SCImago
2012yıl

Kısa özet

Galyum nitrür (GaN) yüksek elektron hareketliliği güç transistörleri (HEMT'ler), diğer teknolojilere göre daha yüksek güç yoğunlukları ve kırılma gerilimleri sayesinde oldukça verimli, geniş bantlı güç yükselteçlerini mümkün kılmaktadır.

Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.

ÇıkarımlarUygulamada

Ana noktalarUygulamada

Makaleye SorUygulamada

Devamı Pofolia uygulamasında

Çıkarımlar, ana noktalar ve makaleye soru sorma; ilgi alanına göre her gün yeni özetler. Ücretsiz.

Google Play'den indir App Store'dan indir

Web'de giriş yaparak aç

Alan: Yoğun Madde Fiziği

Condensed Matter PhysicsPhysics and Astronomy