Materials Science in Semiconductor Processing· 2026Q1
5 MeV proton radyasyonunda β-Ga2O3 Schottky bariyer diyotlarının sıcaklığa bağlı elektriksel performansı
Temperature-dependent electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes under 5 MeV proton irradiation
- 0atıf
- Q1SCImago
- 2026yıl
Kısa özet
25°C'de yapılan proton radyasyonu, β-Ga2O3 Schottky diyotlarının performansını önemli ölçüde bozarak E C −0.7 eV kusurunu ortaya çıkarır. Performans, 50°C-75°C'de kısmen düzelir, ancak kusur 100°C'de yeniden belirir.
Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.
Ana noktalar
- 25°C'de 5 MeV proton radyasyonu, β-Ga2O3 diyotlarının performansını düşürerek arıza gerilimini ve taşıyıcı konsantrasyonunu azaltır.
- 25°C'de yapılan proton radyasyonu E C −0.7 eV kusurunu ortaya çıkarır.
- 50°C ile 75°C arasındaki sıcaklıklarda termal tavlama etkileri nedeniyle cihaz performansı kısmen düzelir.
- E C −0.7 eV kusuru 100°C'de yeniden belirerek karmaşık bir sıcaklığa bağlı radyasyon tepkisi olduğunu gösterir.
Yapay zekâ ile başlık ve abstract'tan üretildi; tam metin okunmaz.
Özet (abstract)
This work examines the effects of 5 MeV proton irradiation at a fluence of 1 × 10 13 cm −2 on the electrical characteristics of β-Ga 2 O 3 Schottky barrier diodes over a temperature range of 25 °C to 100 °C. Current–voltage (I-V), capacitance–voltage (C-V), and deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements demonstrate that irradiation at 25 °C causes significant damage, lowering the breakdown voltage and carrier concentration while introducing the E C −0.7 eV defect. Experiments at 50 °C-75 °C reveal that thermal annealing counteracts this damage as the temperature rises, partially recovering device performance. However, the E C −0.7 eV defect reappears at 100 °C. Subsequent 50 °C annealing verifies that these defects are the same type. We further verified this finding by extracting the spatial distributions of the leakage current density and carrier lifetime from our technology computer-aided design (TCAD) simulations. Our work elucidates the critical role of temperature in governing radiation response of β-Ga 2 O 3 .
Yazarların özeti; kaynağından alınmıştır. Materials Science in Semiconductor Processing, 2026 · DOI ↗
Ücretsiz hesapla devam et
Makaleye Sor ile bu makaleye günde 3 soru ücretsiz; makaleyi kaydet, kaynakçasını al, ilgi alanına göre her gün yeni özetler. Çıkarımlar Premium.
Web'de ücretsiz devam etGoogle ya da Apple hesabınla giriş; kart istemez. Bu makaleye geri dönersin.
Telefonda:
Alan: Elektronik, Optik ve Manyetik Malzemeler
Electronic, Optical and Magnetic MaterialsMaterials Science